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IXFB38N100Q2
Fig. 7. Input Admittance
Fig. 8. Transconductance
60
55
50
45
80
70
60
T J = - 40 o C
40
35
30
T J = 125 o C
25 o C
- 40 o C
50
40
125 o C
25 o C
25
20
15
10
5
0
30
20
10
0
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
0
10
20
30
40
50
60
70
V GS - Volts
I
D
- Amperes
90
Fig. 9. Source Current vs. Source-To-
Drain Voltage
10
Fig. 10. Gate Charge
80
70
60
50
8
6
V DS = 500V
I D = 19A
I G = 10mA
40
30
20
10
0
T J = 125 o C
T J = 25 o C
4
2
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
50
100
150
200
250
V SD - Volts
Q
G
- nanoCoulombs
100000
10000
1000
Fig. 11. Capacitance
f = 1MHz
C iss
C oss
C rss
1.000
0.100
0.010
Fig. 12. Maximum Transient Thermal
Impedance
100
0
5
10
15 20 25
V DS - Volts
30
35
40
0.001
0.0001
0.001
0.01 0.1
Pulse Width - Seconds
1
10
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS REF: F_38N100Q2(95) 5-27-08-B
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